Tipos de transistores
Debido a que son uno de los componentes más utilizados en el mundo de la electrónica existen diferentes tipos de transistores, cada uno esta diseñado para utilizarse principalmente en una de sus funciones, ya sea como interruptor o como amplificador. A pesar de que se utilizan los mismos materiales semiconductores (Material N y P), la estructura de cada tipo cambia un poco en cuanto al tamaño de los materiales o la posición. En algunos tipos puede cambiar el nombre o el número de terminales.
Transistores uni-unión o UJT
A este tipo también se le conoce como unijuntura o UJT por la siglas en ingles( UniJunction Transistor), en cuanto a su construcción es totalmente diferente a los más conocidos, ya que su estructura interna esta compuesta solo por dos materiales semiconductores: una barra de tipo N en donde se encuentran dos bases y un material incrustado tipo P que actúe como el emisor. El funcionamiento de este transistor se basa en tres regiones llamadas de corte, de saturación y de resistencia negativa (leer mas próximamente).
Transistores Bipolares o BJT
Sus siglas BJT vienen de «Bipolar Junction transistor», esto se debe a que en el proceso de funcionamiento participan los huecos que son cargas positivas y los electrones como cargas negativas. Dentro de este tipo podemos encontrar los transistores PNP y NPN, a pesar de tener dos tipos diferentes su funcionamiento es el mismo solo tienen una pequeña diferencia y es que los primeros se utilizan para voltajes positivos y los segundos para negativos. Los BJT se controlan a través de la corriente y son los más comunes, debido a que se utilizan en la electrónica analógica como amplificadores y en la digital como interruptores. Leer más sobre (funcionamiento, configuraciones, polarizaciones, etc)…
Transistores de efecto de campo o FET
A este tipo de transistores se les conoce como Field Effect Transistor por que generan un campo eléctrico que es el que controla el funcionamiento del dispositivo. Los FET se consideran como transistores unipolares ya que dependiendo del tipo es la conducción que se logra, si son de canal N conduce electrones y si son de canal P conduce los huecos. Una de sus características principales es que estos componentes se pueden comportar como si fueran resistencias y capacitores dando la posibilidad de hacer circuitos utilizando puros transistores FET. (Siguiente articulo a tratar)
Dentro de los transistores de efecto de campo podemos encontrar algunas variaciones como son:
- JFET (Junction Field Effect Transistor)
- IGFET (Insulated Gate Field Effect Transistor)
- MOSFET (Metal Oxido Semiconductor Field Effect Transistor)
- MESFET
- FREDFET
- DNAFET
Fototransistor
A pesar de que un fototransistor tiene solo dos terminales y un aspecto totalmente diferente, el funcionamiento es prácticamente el mismo al de un transistor normal, ya que es posible regular la corriente de colector a travez de la base que en este caso seria el encapsulado. Su funcionamiento depende directamente de cuánta luz llegue a la base, ya que mientras más luz llegue más corriente genera.
Transistor HBT y HEMT
Estos tipos de transistores están formados por una heterounión, es decir, pueden estar compuestos por una unión de dos semiconductores de diferente material o una unión de un metal con un semiconductor. Dentro de este tipo de uniones existen dos diferentes las isótopo que son cuando la conductividad de los dos materiales es la misma y las anisotipo que es el caso contrario, cuando la conductividad es diferente en cada material.
HBT
Las siglas del transistor HBT están datadas por Heterojunction Bipolar Transistor, prácticamente es una mejora de los transistores BJT ya que este es capaz de controlar señales de frecuencias muy altas de hasta cientos GHz. Principalmente se utilizan en circuitos donde la respuesta tenga que ser rápida como por ejemplo en los de radio frecuencia.
HEMT
Este transistor es del tipo efecto de campo y se le conoce con diferentes nombres, ya sea como HEMT (High Electron Mobility Transistor), HFET o MODFET, su estructura esta formada por una hetero unión PN que utiliza materiales como arseniuro de galio-aluminio (ALGaAs) y arseniuro de galio (GaAs). Estos se utilizan por que tienen una alta movilidad de electrones, alta ganancia y bajos niveles de ruido. Sus principales aplicaciones se basan en amplificadores de señales pequeñas con poco ruido, osciladores y mezcladores que funcionan a frecuencias de hasta 60 GHz.
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Referencias
Transistores efecto de campo-PDF1
HEMT, High Electron Mobility Transistor
Transistores efecto de campo-PDF2
Glosario de transistores
